【看中国记者Rebecca报导】昨天（12月/11日）纽约州长霍楚宣布与半导体行业领军企业IBM、美光（Micron）、应用材料（Applied Materials）、东京电子（Tokyo Electron）等半导体领军企业共同投资100亿美元，在奥尔巴尼纳米科技中心建设高数值孔径极紫外光刻中心。该计划旨在推动半导体技术的研发和制造，同时为纽约州打造半导体创新中心，以在全球科技竞争中保持领先地位，阻止中共霸凌半导体行业。

计划详情：

纽约州政府将出资10亿美元，在奥尔巴尼纳米科技中心引入由荷兰艾司摩尔公司（ASML）购买的下一代光刻设备，打造北美首座尖端的高数值孔径极紫外光刻中心（High NA EUV Lithography Center）。此中心将成为纽约州半导体技术研发的核心，与美光、IBM、应用材料、东京电子等合作伙伴共同投资90亿美元，进行最复杂、最先进的半导体研发和下一代芯片制造。

经济影响：

该项目预计将创造至少700个新的直接工作岗位，保留数千个工作岗位，撬动至少90亿美元的私人支出和投资。合作伙伴还承诺通过与纽约州立大学等机构合作，支持和建立人才培养渠道，为纽约州的人才培养和科技教育注入新的动力。

可持续发展承诺：

奥本尼纳米科技综合园区（NY CREATES Albany NanoTech Complex）和行业合作伙伴在整个项目的建设和运营阶段都做出了可持续发展承诺，包括减少温室气体排放、使用可再生能源、争取最低LEED金级认证等。高数值孔径极紫外光刻中心将成为可持续发展和气候友好型半导体制造工艺和技术开发领域的全球领导者，同时为纽约州的技术创新树立榜样。

纽约州长和联邦领袖的表态：

纽约州长霍楚表示，这是纽约州对未来科技发展的巨大投资，将确保纽约成为世界半导体之都，「我们谈论的不仅仅是创新，还有地缘政治力量平衡。这是利害攸关之处。」州长霍楚致词时指出，「美国曾经在这个行业占据主导地位。1990年，我们拥有全球半导体总产量40%......发生了一些事情后，如今这一比例为12%，我们过度依靠来自中国、韩国、台湾等地的货物和零件。」联邦参议院多数党领袖舒默表示，「目前的世界记录是IBM制造的2纳米晶片，但这项数十亿美元投资，创建的新设施会把科幻小说变成现实，打造出比1纳米更小的晶片。这一计划将使美国重新在半导体行业占据领导地位，成为全球创新的中心。」

结语：

纽约州的半导体创新计划不仅将为本地经济带来巨大推动，更是美国在科技领域向未来科技竞争发起的一场挑战。通过引领全球半导体技术创新，纽约州将为美国在全球科技竞争中走向领先地位贡献巨大力量。